Компания Samsung собирается представить свой новый флагман, Galaxy S9, на пресс-мероприятии во время выставки MWC 2018, которая пройдет в Барселоне с 26 февраля по 1 марта. Об этом рассказал корейский ресурс The Bell.
Такое поведение не слишком характерно для компании. От Samsung, традиционно, ожидалось отдельное мероприятие для запуска флагманов Galaxy, не привязанное к каким-либо выставкам. В этом году, например, Galaxy S8 и S8+ дебютировали на персональном мероприятии в Нью-Йорке 29 марта.
Согласно табличке, приводимой источником, анонс Galaxy S9 и S9+ состоится 27 февраля в рамках MWC 2018 в Барселоне. Учитывая особенности часовых поясов, 27 февраля может оказаться в Корее, а в Европе будет еще 26 февраля с учетом разницы во времени. Это вполне логично, поскольку компании стараются не откладывать значимые анонсы на второй день выставки.
Согласно более ранним утечкам, дизайн Galaxy S9 и Galaxy S9+ останется практически неизменным по сравнению с предшественниками, за исключением одного заметного отличия. Вне зависимости от одиночной или двойной камеры, у обоих смартфонов элементы на задней панели будут организованы вертикально, со сканером отпечатков пальцев под модулем камеры. Это должно решить проблему с загрязнением объектива.
Смартфоны получили кодовые названия Star 1 и Star 2, их модельные номера SM-G960 и SM-G965. Дисплеи также не изменятся — 5,8- и 6,2-дюймовые безрамочные Super AMOLED-экраны с изогнутыми боковыми кромками.
Samsung Galaxy S9 и Galaxy S9+ станут первыми и на некоторое время единственными смартфонами на базе 10-нанометрового Qualcomm Snapdragon 845. Первая партия нового чипа будет использована в Galaxy S9 для США, а для остальных регионов в основу Galaxy S9 ляжет фирменный 10-нанометровый Exynos 9810.
Помимо дисплея большего размера версия Galaxy S9+ также получит больше оперативной памяти — 6 ГБ против 4 ГБ у Galaxy S9, а также двойную основную камеру как у Galaxy Note 8. Обе модели оснащаются 64 ГБ встроенной флеш-памяти, слотом для карточек microSD и сохранят 3,5-мм аудиоразъем. Отмечаются стереодинамики AKG.
