Кoмпaнія Samsung сьoгoдні пoвідoмилa прo мaсoвe вирoбництвo 3-нaнoмeтрoвиx чіпів. «Компанія Samsung Electronics сьогодні повідомляє оборона запуск 3-нанометрового технологічного процесу із застосуванням транзисторної архітектури Gate-All-Around», — сказано в офіційному прес-релізі.
Як сказали в Samsung Electronics, перше покоління 3-нанометрових чіпів у порівнянні з 5-нанометровими може скоротити споживання енергії держи 45%, забезпечить підвищення продуктивності в 23% при зменшенні площі чіпа нате 16%.
Друге покоління 3-нанометрових чіпів стане ще більш енергоефективним (вони будуть споживати сверху 50% менше енергії в порівнянні з 5-нанометровими), також незначно підвищиться продуктивність (нате 7% відносно першого покоління 3-нанометрових чіпів) і помітно зменшиться площа ( получи 19% відносно 3-нанометрових чипів першого покоління).
Samsung обігнала свого основного конкурента — TSMC. Тайваньська компанія привести в действие 3-нанометрові чіпи в масове виробництво у другій половині поточного року.
